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《NAND闪存技术》有留诚一 pdf电子书[97MB]

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  • 更新时间:2026-04-08 09:08:02
简介《NAND闪存技术》是由有留诚一编著,《NAND闪存技术》讨论了基本和先进的NAND闪存技术,包括NAND闪存的原理、存储单元技术、多比特位单元技术、存储单元的微缩挑战、可靠性和作为未来技术的3D单元。第1章描述了NAND闪存的背景和早期...
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《NAND闪存技术》讨论了基本和先进的NAND闪存技术,包括NAND闪存的原理、存储单元技术、多比特位单元技术、存储单元的微缩挑战、可靠性和作为未来技术的3D单元。第1章描述了NAND闪存的背景和早期历史。第2章描述了器件的基本结构和操作。接下来,第3章讨论了以微缩为重点的存储单元技术,并且第4章介绍了多电平存储单元的先进操作。第5章讨论了微缩的物理限制。第6章描述了NAND闪存的可靠性。第7章研究了3D NAND闪存单元,并讨论了结构、工艺、操作、可扩展性和性能方面的优缺点。第8章讨论了3D NAND闪存面临的挑战。最后,第9章总结并描述了未来NAND闪存的技术和市场前景。 《NAND闪存技术》适合从事NAND闪存或SSD(固态硬盘)和闪存系统开发的工程师、研究人员和设计人员阅读,也可供高等院校集成电路、微电子、电子技术等专业的师生参考。

第1章 引言1
1.1 背景1
1.2 概述6
参考文献8
第2章 NAND闪存原理14
2.1 NAND闪存器件与结构14
2.2 单元操作17
2.3 多电平单元(MLC)28
参考文献29
第3章 NAND闪存器件31
3.1 引言31
3.2 LOCOS单元33
3.3 带浮栅翼的自对准STI单元40
3.4 无浮栅翼的自对准STI单元49
3.5 平面浮栅单元55
3.6 侧壁传输晶体管(SWATT)单元58
3.7 NAND闪存的先进技术65
参考文献75
第4章 多电平单元的先进操作79
4.1 引言79
4.2 紧凑Vth分布宽度的编程操作79
4.3 页编程序列88
4.4 TLC(3比特位/单元)95
4.5 QLC(4比特位/单元)99
4.6 三电平(1.5比特位/单元)NAND闪存101
4.7 移动读算法103
参考文献104
第5章 NAND闪存单元微缩面临的挑战109
5.1 引言109
5.2 读窗口裕度(RWM)110
5.3 浮栅电容耦合干扰119
5.4 编程电子注入展宽(EIS)129
5.5 随机电报信号噪声(RTN)136
5.6 单元结构挑战143
5.7 高场限制144
5.8 少电子现象147
5.9 光刻工艺限制149
5.10 变化性效应151
5.11 微缩对数据保持的影响153
5.12 小结155
参考文献156
第6章 NAND闪存的可靠性163
6.1 引言163
6.2 编程/擦除循环耐久和数据保持165
6.3 编程/擦除循环耐久和数据保持的特性分析175
6.4 读干扰187
6.5 编程干扰198
6.6 不稳定的过度编程208
6.7 阈值电压的负向偏移现象211
6.8 小结220
参考文献222
第7章 3D NAND闪存单元229
7.1 背景229
7.2 BiCS/P-BiCS231
7.3 TCAT/V-NAND243
7.4 SMArT251
7.5 VG-NAND254
7.6 DC-SF单元259
7.7 先进DC-SF单元267
参考文献277
第8章 3D NAND闪存面临的挑战282
8.1 引言282
8.3 数据保持286
8.4 编程干扰289
8.5 字线RC延迟295
8.6 单元电路波动297
8.7 堆叠单元数量310
8.8 阵列下外围电路312
8.9 功耗314
参考文献317
第9章 总结321
9.1 讨论与结论321
9.2 展望323
参考文献324
附录 术语中英文对照表327



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