随着可穿戴设备的普及和物联网设备的广泛应用，依赖外部电源实现光电检测的传统光电探测器面临着高暗电流和小开关比等问题的挑战。因此，具备自供电能力的光电探测器的性能成了限制光电探测器更广泛应用的关键。经过十多年的发展，具备自供电能力的光电探测器在集成性、柔性和稳定性等方面都取得了重要的进展，但是其效率仍然受到极大制约。近几年，异质结构由于其多组份之间协同工作展现的优异性能，使其在自供电光电探测器的理性设计上展现了巨大的前景和价值。本文基于新型二维材料构建了不同维度堆积的异质结构，采用第一性原理方法和非绝热分子动力学方法，针对光生载流子在异质结中的转移过程，系统研究了界面效应对异质结电子结构的影响和应变对异质结光电特性的调控，为设计和制备高性能自供电光电探测器提供了理论支撑。
封面
扉页
前言
目录
第1章 绪论
1.1 智能时代光电探测器面临的问题与挑战
1.2 基于二维材料自供电光电探测器的研究进展
本章参考文献
第2章 理论基础和计算工具
2.1 自供电光电探测器的基本原理及其应用
2.2 计算的基本方法
2.3 计算软件简介
本章参考文献
第3章 应变对GaSe/SnS2异质结自供电及光电特性的影响
3.1 引言
3.2 计算方法与细节
3.3 计算结果与讨论
3.4 本章小结
本章参考文献
第4章 高性能InSe/BP异质结的自供电和快速光响应的分子动力学
4.1 引言
4.2 计算方法与细节
4.3 计算结果与讨论
4.4 本章小结
本章参考文献
第5章 2D/2D BP/Cs2SnI4异质结的设计和光电特性
5.1 引言
5.2 计算方法与细节
5.3 计算结果与讨论
5.4 本章小结
本章参考文献
第6章 2D/3D Cs2SnI2Cl2/Cs2TiI6异质结的光电特性和载流子输运
6.1 引言
6.2 计算方法与细节
6.3 计算结果与讨论
6.4 本章小结
本章参考文献
第7章 2D/2D/2D GaN/WS2/MoS2异质结的界面效应及分子动力学
7.1 引言
7.2 计算方法与细节
7.3 计算结果与讨论
7.4 本章小结
本章参考文献
第8章 总结与展望
8.1 总结
8.2 展望
附录A 本书关键词
附录B 部分输入文件和结构文件
B.1 INCAR文件
B.1.1 INCAR-relax
B.1.2 INCAR-scf
B.1.3 INCAR-band
B.1.5 INCAR-opt
B.2 POSCAR文件
B.2.1 GaSe-POSCAR
B.2.2 SnS2-POSCAR
B.2.3 InSe-POSCAR
B.2.4 BP-POSCAR
B.2.5 Cs2SnI2Cl2-POSCAR
B.2.6 Cs2TiI6-POSCAR
B.2.7 GaN-POSCAR
B.2.8 WS2-POSCAR
B.2.9 MoS2-POSCAR
B.3 KPOINTS文件
B.3.1 Gamma-KPOINTS
B.3.2 Monkhorst-Pack-KPOINTS
B.3.3 band-pbe-KPOINTS
B.3.4 band-hse-KPOINTS
B.4 POTCAR文件
B.4.1 Cl-GGA 1/2-1.0 Bohr
B.4.2 Cl-GGA 1/2-1.5 Bohr
B.4.3 Cl-GGA 1/2-2.0 Bohr
B.4.4 Cl-GGA 1/2-2.5 Bohr
B.4.5 Cl-GGA 1/2-3.0 Bohr
B.4.6 Cl-GGA 1/2-3.5 Bohr
B.4.7 I-GGA 1/2-1.0 Bohr
B.4.8 I-GGA 1/2-1.5 Bohr
B.4.9 I-GGA 1/2-2.0 Bohr
B.4.10 I-GGA 1/2-2.5 Bohr
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